Qui est en ligne ?

Nous avons 2 invités en ligne

Espace TIC

Identification



Encadrement

a) Mémoires de magister soutenus

Num :1

Nom & Prénom de l’étudiant

Laouini Abdeldjalil

Date et lieu de soutenance

juin 2012  Université de Biskra

Rapporteur

BOUMERZOUG Zakaria

Intitulé du titre de magister

Réalisation d’un appareil de fluage des métaux .

URL résumé ou version pdf

 

Num :2

Nom & Prénom de l’étudiant

Sardouk Mohamed Ridha

Date et lieu de soutenance

Juin 2015 Université de Biskra

Rapporteur

Tobbeche Souad

Intitulé du titre de magister

Etude par simulation numérique des propriétés électriques d’une cellule solaire en silicium amorphe hydrogéné (a-Si:H)

URL résumé ou version pdf

 

 

Num :3

Nom & Prénom de l’étudiant

MALLEM Izzeddine

Date et lieu de soutenance

Juin 2014 Université de Biskra

Rapporteur

Sengouga Noureddine

Intitulé du titre de magister

Simulation des cellules solaires hétérojonction Si-SiGe par SILVACO

URL résumé ou version pdf

http://thesis.univ-biskra.dz/1232/

 

Num :4

Nom & Prénom de l’étudiant

ZEGHDAR Kamal

Date et lieu de soutenance

09/06/2014   U. Biskra

Rapporteur

DEHIMI Lakhdar

Intitulé du titre de magister

Simulation des caractéristiques courant-tension à base d'une diode Schottky en Phosphure d'indium InP

URL résumé ou version pdf

http://thesis.univ-biskra.dz/202/1/Elec_m2_2014.pdf

 

Num :5

Nom & Prénom de l’étudiant

BEDDIAFI Yazid

Date et lieu de soutenance

03/07/2013   U. Biskra

Rapporteur

DEHIMI Lakhdar

Intitulé du titre de magister

Modélisation d’un transistor MESFET en GaAs en utilisant le simulateur atlas-silvaco

URL résumé ou version pdf

http://thesis.univ-biskra.dz/id/eprint/542

 

Num :6

Nom & Prénom de l’étudiant

MAROUF Yacine

Date et lieu de soutenance

27/06/2013   U. Biskra

Rapporteur

DEHIMI Lakhdar

Intitulé du titre de magister

Modélisation des cellules solaires en InGaN en utilisant Atlas Silvaco

URL résumé ou version pdf

http://thesis.univ-biskra.dz/id/eprint/539

 

Num :7

Nom & Prénom de l’étudiant

BALI AMINA

Date et lieu de soutenance

2013

Rapporteur

Meftah Amjad

Intitulé du titre de magister

Etude comparative entre les cellules solaires de type

p+-AlGaAs/p-GaAs/n-GaAs et une autre de type n+-AlGaAs/n-GaAs /p-GaAs.

URL résumé ou version pdf

http://thesis.univ-biskra.dz/44/

 

Num :8

Nom & Prénom de l’étudiant

Amar Hichem

Date et lieu de soutenance

2014, Université de Biskra

Rapporteur

Tobbeche Souad

Intitulé du titre de magister

Propriétés électriques de cellule solaire à base de diSéléniure de Cuivre Indium Galium CuIn(1−x)GaxSe2 (CIGS).

URL résumé ou version pdf

http://thesis.univ-biskra.dz/1075/

 

Num :9

Nom & Prénom de l’étudiant

 

Date et lieu de soutenance

Novembre 2014

Rapporteur

Nouredine Sengouga

Intitulé du titre de magister

cquisition du signal transitoire dû à la réponse des dispositifs à semi-conducteurs à une tension alternative

URL résumé ou version pdf

http://thesis.univ-biskra.dz/1471/

 

 

 

a) Mémoires de master soutenus

Num :1

Nom & Prénom de l’étudiant

Menacer Djahida

Date et lieu de soutenance

Juin 2015    U. Biskra

Rapporteur

TIBERMACINE Toufik

Intitulé du titre du master

Caractérisation optique automatisée des couches minces

URL résumé ou version pdf

Ce travail a comme objectif d’extraire expérimentalement les caractéristiques optiques des couches minces. Pour cette raison, on a développé un programme écrit sous l’environnement LabView qui nous a permet de commander les instruments utilisés et d’extraire toutes les caractéristiques de nos couches minces. La caractéristique optique qu’on a mesurée est le spectre de transmittance de deux couches minces. Pour la couche de ZnO, les résultats obtenus sont la valeur d’énergie de la bande interdite égale à 3.4 eV, l’épaisseur égal à 620 nm, l’énergie d'Urbach égale à 0.14 eV et l’indice de réfraction égal à 1.52. Pour la couche d’In2O3 , les résultats obtenus sont la valeur d’énergie de la bande interdite égale à 3.32 eV, l’épaisseur égal à 611 nm, l’énergie d'Urbach égale à 0.4 eV et l’indice de réfraction égal à 1.51.

 

Num :2

Nom & Prénom de l’étudiant

Bounehas Feyrouz

Date et lieu de soutenance

Juin 2015    U. Biskra

Rapporteur

TIBERMACINE Toufik

Intitulé du titre du master

Caractérisation automatisée des composants photoniques

URL résumé ou version pdf

Ce travail a comme objectif d’extraire expérimentalement les caractéristiques optiques et électriques des composants photoniques à savoir une diode électroluminescente, une diode laser et une photodiode. Pour cette raison, on a développé des programmes écrit sous l’environnement LabView qui nous a permet de commander les instruments utilisés et d’extraire toutes les caractéristiques de nos échantillons. Les caractéristiques électriques qu’on a mesuré sont courant–tension et capacité–tension et les caractéristiques optiques qu’on a mesuré sont puissance optique-courant, puissance optique-tension et la réponse spectrale de ces composants. Nos résultats montrent que les caractéristiques mesurées sont presque les mêmes connues dans la littérature.

 

 

Num :3

Nom & Prénom de l’étudiant

Bachir Abdelouaheb

Date et lieu de soutenance

Juin 2015    U. Biskra

Rapporteur

TIBERMACINE Toufik

Intitulé du titre du master

Simulation de la technique de photo-courant constant : CPM

URL résumé ou version pdf

Notre but dans ce mémoire est de déterminer les propriétés optiques et électroniques des semiconducteurs amorphes en particulier le silicium amorphe hydrogéné a-Si:H. Pour cette raison, on a simulé la technique de photocourant constant en mode continu (DC-CPM) afin de déterminer le coefficient d'absorption optique de deux échantillons en a-Si : H. Ensuite, on a convertit les spectres d’absorption simulés en densité d'états électronique (DOS) à l’intérieure du gap de mobilité. On a développé un programme Matlab pour modéliser la technique DC-CPM en tenant en compte toutes les transitions thermiques et optiques possibles entre les états localisés dans le gap et les états étendus dans la bande de valence et de conduction. Les résultats obtenus par simulation sur les deux échantillons en a-Si:H intrinsèque et de type n montrent des allures semblables à celles rapportées aux littératures. Les résultats obtenus montrent aussi l’importance de considérer les deux coefficients d’absorption dues aux électrons et aux trous pour reconstituer à la fois la densité des états occupés et non occupés.

 

 

Num :4

Nom & Prénom de l’étudiant

Hasni Hadjer

Date et lieu de soutenance

Juin 2014    U. Biskra

Rapporteur

TIBERMACINE Toufik

Intitulé du titre du master

Caractérisation automatisée d’une cellule solaire

URL résumé ou version pdf

Ce travail a comme objectif d’extraire  expérimentalement les caractéristiques optiques  et électriques des cellules solaires.  Pour  cette  raison,  on  a  développé  un  programme  écrit  sous l’environnement  LabView  qui  nous a  permet  de  commander  les  instruments  utilisés  et  d’extraire toutes les caractéristiques de nos cellules photovoltaïques. Les caractéristiques électriques qu’on a mesuré sont les courbes courant – tension et puissance – tension.  Ces  deux courbes  nous ont  permet  de  déterminer  les  paramètres externes de  nos cellules solaires  cristalline(c-Si)  et amorphe (a-Si) à  savoir  le  courant  de  court-circuit,  la  tension  de  circuit  ouvert,  le  facteur  de  forme et le rendement. Pour la cellule cristalline, les résultats obtenus sont raisonnables avec un faible rendement de l’ordre de. Pour la cellule amorphe, le rendement est plus faible de l’ordre de  . Nous avons  aussi étudié l’influence du choix du filtre AM (AM0 et AM1.5) sur la réponse spectrale  et le rendement quantique externe  en fonction de la longueur d’onde. Nous avons constaté que, dans le cas de la cellule solaire cristalline, les résultats en utilisant le filtre AM0 sont  plus meilleurs que  AM1,5D et nous avons trouvé l’inverse dans le cas de la cellule solaire amorphe.

 

Num :5

Nom & Prénom de l’étudiant

Tabbi Hadjer

Date et lieu de soutenance

Juin 2014    U. Biskra

Rapporteur

TIBERMACINE Toufik

Intitulé du titre du master

Caractérisation automatisée des diodes électroluminescentes

URL résumé ou version pdf

L’objectif de notre travail expérimental est d’extraire les caractéristiques électriques et optiques de quatre diodes électroluminescentes à longueurs d’ondes  différentes  Pour cette raison, nous avons développé un programme LabView qui nous a permet de déterminer ces caractéristiques. Nous avons mesuré d’une manière automatisée, les caractéristiques courant-tension, puissance optique-courant et la réponse spectrale des quatre diodes électroluminescentes. Nos résultats montrent que les caractéristiques mesurées sont presque les mêmes données par le constructeur.

 

Num :6

Nom & Prénom de l’étudiant

Ogbi Zoulikha

Date et lieu de soutenance

Juin 2014    U. Biskra

Rapporteur

TIBERMACINE Toufik

Intitulé du titre du master

Mesure automatisée du spectre d’absorption optique des cellules solaires

URL résumé ou version pdf

L’objectif de ce travail expérimental est de déterminer les propriétés optiques de deux cellules solaires en termes de coefficient d’absorption optique : cellule solaire amorphe (a-Si), cellule solaire cristalline (c-Si). Pour atteindre cet objectif nous en  avons mesuré le spectre d’absorption optique en utilisant la technique du  photocourant constant en mode continu (DC-CPM). Les mesures automatisées  ont été réalisé à l’aide d’un programme LabView. Les deux spectres trouvés ont des allures connues pour le silicium amorphe et cristallin.

 

Num :7

Nom & Prénom de l’étudiant

Lahreche Imen

Date et lieu de soutenance

Juin 2013    U. Biskra

Rapporteur

TIBERMACINE Toufik

Intitulé du titre du master

Mesure des propriétés externes d’une cellule photovoltaïque

URL résumé ou version pdf

Ce travail a comme objectif de savoir extraire les caractéristiques électriques externes des cellules solaires expérimentalement. Pour cette raison, on a développé un programme écrit sous l’environnement LabView qui nous permet de commander les instruments utilisés et d’extraire toutes les caractéristiques de nos cellules photovoltaïques. Les caractéristiques électriques qu’on a déterminé sont les courbes courant – tension et puissance –tension. Ces deux courbes nous ont permet de déterminer le paramètres externes de nos cellules solaires à savoir le courant de court-circuit, la tension de circuit ouvert, le facteur de forme, la puissance maximale et le rendement. Les cellules qu’on a caractérisées sont deux ; la première est en c-Si et la deuxième est type de a-Si. Pour la première cellule, les résultats obtenus sont raisonnables avec un rendement de l’ordre de 15%. Pour la deuxième cellule, nous avons étudié l'effet de l'intensité lumineuse sur les caractéristiques courant – tension et puissance – tension, nous avons constaté que le courant croit en fonction de l’augmentation de l’intensité  lumineuses et le rendement de la cellule augmente d’une façon proportionnel.

 

Num :8

Nom & Prénom de l’étudiant

Kahoul Fouad

Date et lieu de soutenance

JUIN 2013 Université de Biskra

Rapporteur

Tobbeche Souad

Intitulé du titre du master

Caractéristique électrique d’une cellule solaire à hétérojonction a-Si:H/µc-Si

URL résumé ou version pdf

 

Num..9

Nom & Prénom de l’étudiant

Abahri Ahmed

Date et lieu de soutenance

JUIN 2013 Université de Biskra

Rapporteur

BOUMERZOUG Zakaria

Intitulé du titre du master

 

URL résumé ou version pdf

The purpose of this note is the study of defects that appear during and after welding of pipelines to transport gas and oil in an institution COSIDRE, and find out the reasons for its appearance and how to address them.

 

Num :10

Nom & Prénom de l’étudiant

CHELLOUAI   Adel         -

Date et lieu de soutenance

Juin 2014, Université de Biskra

Rapporteur

Lakel Said

Intitulé du titre du master

Etude des propriétés structurales et élastiques des composés binaires

URL résumé ou version pdf

 

 

Num :11

Nom & Prénom de l’étudiant

( Candidate : AGGTI Samiha

Date et lieu de soutenance

Juin 2014, Université de Biskra

Rapporteur

Lakel Said

Intitulé du titre du master

Prédiction des propriétés structurales, élastiques et optiques des composées binaires ZnO et  BeO.

URL résumé ou version pdf

 

 

Num :12

Nom & Prénom de l’étudiant

GATT Fairouz

Date et lieu de soutenance

Juin 2013, Université de Biskra

Rapporteur

Etude ab initio des propriétés structurales, électroniques, élastiques et optiques des composées binaires III-P

Intitulé du titre du master

Lakel Said

URL résumé ou version pdf

 

Num :.13

Nom & Prénom de l’étudiant

Lebza Hamza

Date et lieu de soutenance

JUIN 2014 Université de Biskra

Rapporteur

BOUMERZOUG Zakaria

Intitulé du titre du master

Soudage des pipelines

URL résumé ou version pdf

The objective of this study was to investigate the welding effect on two tubes (pipes ) : the first is slow carbon steel and the second is stainless steel. Microstructural and mechanical evolution have been studied. Different techniques were used like optical microscopy, hardness measurements and X ray diffraction. We have observed different zones in the weld joint ( FZ HAZ and BM) . We noticed that the heat treatments have changed the hardness of the materials.

Num :14

Nom & Prénom de l’étudiant

Kerbaa Mohamed

Date et lieu de soutenance

JUIN 2015 Université de Biskra

Rapporteur

BOUMERZOUG Zakaria

Intitulé du titre du master

Elaboration de diagramme TTT de l’acier dur

URL résumé ou version pdf

The goal of this dissertation is to establish T.T.T diagram of hard steel by using optical microscopy, hardness measurement and X-ray diffraction. For this objective, different heat treatments were applied

Num..15

Nom & Prénom de l’étudiant

Kherifi Noureddine

Date et lieu de soutenance

JUIN 2015 Université de Biskra

Rapporteur

BOUMERZOUG Zakaria

Intitulé du titre du master

Revetement métallique d’un acier à faible pourcentage en carbone.

URL résumé ou version pdf

The objective of this dissertation is to study the thin film of zinc and nickel deposited on low carbon steel. Two techniques of characterization have been used: optical microscopy and X-ray diffraction

Num :.16

Nom & Prénom de l’étudiant

Benzine Haroune Rachid

Date et lieu de soutenance

JUIN 2015 Université de Biskra

Rapporteur

BOUMERZOUG Zakaria

Intitulé du titre du master

Elaboration des alliages métalliques par la métallurgie des poudres.

URL résumé ou version pdf

The objective of this dissertation is to present the elaboration technique of metallic alloys by Powder Metallurgy. The experimental work was performed at the Enterprise of Industrial Realization of Seriana (EIRS). We could elaborate two metallic alloys (Cu-Al-Ni and TiC-Ni), the elaborated alloys were analyzed by using optical microscopy and hardness apparatus

Num :17

Nom & Prénom de l’étudiant

Saou Lahcene

Date et lieu de soutenance

JUIN 2015 Université de Biskra

Rapporteur

BOUMERZOUG Zakaria

Intitulé du titre du master

Le procédé de fabrication des pipes pour le transport des hydrocarbures ( à El-Hadjar ).

URL résumé ou version pdf

The objective of this dissertation is the presentation and study of the principles and main manufacturing processes of pipeline tubes, especially by ArcelorMittal Pipes & Tubes Annaba Company. We have found that the production process goes through several stages and each stage has rigorous control means in order to achieve a high quality product.

Num..18

Nom & Prénom de l’étudiant

Tigane Harane

Date et lieu de soutenance

JUIN 2015 Université de Biskra

Rapporteur

BOUMERZOUG Zakaria

Intitulé du titre du master

Le CND dans le transport et la distribution des hydrocarbures.

URL résumé ou version pdf

 

Num :.19

Nom & Prénom de l’étudiant

Maache Khaled

Date et lieu de soutenance

JUIN 2015 Université de Biskra

Rapporteur

BOUMERZOUG Zakaria

Intitulé du titre du master

Etude des joints de soudure des pipelines

URL résumé ou version pdf

In this investigation of master degree project, we have studied the parameters effects of welding on microstructures and mechanical proprieties of pipe-line steel. We have used optical microscopy, hardness test, and X-ray diffraction. We have observed different values of hardness on welded joint by changing these parameters (courant, tension and rate of welding).

Num..20

Nom & Prénom de l’étudiant

Djeddi Abdelouaheb

Date et lieu de soutenance

JUIN 2015 Université de Biskra

Rapporteur

BOUMERZOUG Zakaria

Intitulé du titre du master

Le transport et les principales causes des incidents de canalization liant Berkaoui et Guellala.

URL résumé ou version pdf

The main gool of this dissertation is study the causes of accident in pipeline network. We have taken as case study a pipe-line between a production zon and the factory and also in torch line

Num :.21

Nom & Prénom de l’étudiant

Dkheli Khaled

Date et lieu de soutenance

JUIN 2015 Université de Biskra

Rapporteur

BOUMERZOUG Zakaria

Intitulé du titre du master

Principe d’installation des pipelines et le transport des hydrocarbures.

URL résumé ou version pdf

The objective of this work is to learn the different installation steps pipeline construction used for oil and gas transport. We have taken, the pipeline construction project as case study directed by COSIDER Company. This pipeline has as objective to survey by gas Cement Company. We have observed that the construction project needs high of technology and respect of standards.

Num :.22

Nom & Prénom de l’étudiant

Habba Bilal

Date et lieu de soutenance

JUIN 2015 Université de Biskra

Rapporteur

BERIBECHE Abdelatif

Intitulé du titre du master

Le fluage des fils tréfilés .

URL résumé ou version pdf

The goal of this dissertation is to establish T.T.T diagram of hard steel by using optical microscopy, hardness measurement and X-ray diffraction. For this objective, different heat treatments were applied

 

Num :.23

Nom & Prénom de l’étudiant

Aloui Khadra

Date et lieu de soutenance

JUIN 2015 Université de Biskra

Rapporteur

Nouredine Sengouga

Intitulé du titre du master

Conception d’une cellule solaire à base d’une hétérojonction Si-Cu2O

URL résumé ou version pdf

La performance limitée de conversion et le coût élevé des cellules solaires à base de silicium sont les limites essentielles qui empêchent à ce que les piles solaires photovoltaïques deviennent une alternative à l'utilisation de combustibles fossiles qui sont les principales sources d’énergie présentement disponibles même pour l’électrification. Par conséquent, le développement de nouveaux matériaux photovoltaïques à rendements de conversion élevé, à coûts peu onéreux et non toxiques utilisant des procédés économes en énergie est essentiel.  Les oxydes de métaux de transition ont un grand potentiel pour répondre à ces exigences. Parmi eux, l'oxyde cuivreux (Cu2O) est une alternative potentielle au silicium en raison de sa non-toxicité, de la simplicité de et du faible coût de son processus de fabrication à partir de matériaux disponibles en abondance.

 

Num :.24

Nom & Prénom de l’étudiant

Ben Amor Manel

Date et lieu de soutenance

JUIN 2014 Université de Biskra

Rapporteur

Nouredine Sengouga

Intitulé du titre du master

Elaboration et caractérisation des couches minces de ZnO par voie chimique sol-gel – Effet des conditions d’élaboration

URL résumé ou version pdf

L’Oxyde de Zinc (ZnO) est un semiconducteur transparent avec un gap d’énergie direct de 3.37 eV, de bonnes propriétés qui lui permet l’utilisation dans plusieurs applications technologiques. Dans ce travail on a préparé des couches minces de ZnO par la méthode sol-gel déposé sur des substrats en verre par la technique revêtement par immersion (dip coating). Quatre échantillons, qui diffèrent par le nombre de couches, ont été préparées. Ces échantillons ont été analysés par deux techniques : diffraction des rayons x (DRX) pour l’étude structurale et l’analyse spectrales par les rayons infrarouge (FTIR) pour l’identification des liaisons. L’analyse par la DRX n’a pas permis l’étude structurale qui est extraites du calcul des tailles de grains et les paramètres de maille. Ceci est du au désordre des spectres obtenus ce qui indique que la cristallisation ne s’est pas réalisé d’une manière suffisante. L’analyse par le FTIR a révélé l’existence d’une liaison O-H. On a aussi remarqué que la transparence diminue avec le nombre de couches qui est une autre indication de la nature non cristalline des échantillons élaborés.

 

Num :.25

Nom & Prénom de l’étudiant

Benaissa Khaoula

Date et lieu de soutenance

JUIN 2015 Université de Biskra

Rapporteur

Nouredine Sengouga

Intitulé du titre du master

Conception d’une cellule solaire à base d’une hétérojonction Si-ZnO

URL résumé ou version pdf

Nous avons effectué dans ce mémoire la simulation numérique des caractéristiques électrique courant-tension et le quantum efficience, d’une cellule solaire p-n en Si/ZnO. On a fait également une étude de l’effet de l’épaisseur, du dopage de la couche ZnO et l’épaisseur, dopage de Si sur les paramètres de sortie de la cellule qui sont, la tension de circuit ouvert Voc, lr courant de court circuit Isc le facteur de forme FF le rendement de conversion et le quantum efficience. Les paramètres de sortie de la cellule calculés sont 30.5 mA/cm2, 0.27 V, 6 % un rendement. Le rendement de conversion de la cellule est plus sensible aux variations des paramètres du la couche ZnO par rapport à ceux de Si. le rendement quantique est plus sensible aux variations des épaisseurs par rapport aux dopages. Pour la couche  ZnO, il présent des valeurs optimums pour une épaisseur  de 7 μm (qui également dans l’épaisseur pour Isc). Le quantum efficience augment avec l’épaisseur de la couche ZnO dans la gamme des longueurs d’onde qui dépasse 700 nm.

 

Num :.26

Nom & Prénom de l’étudiant

Cherif Bouthaina

Date et lieu de soutenance

JUIN 2015 Université de Biskra

Rapporteur

Nouredine Sengouga

Intitulé du titre du master

Elaboration and characterization of Titanium Dioxide (TiO2) thin films

URL résumé ou version pdf

In this work, Titanium Dioxide TiO2 thin films were grown on glass substrates at temperatures ranging from 350 °C to 500 °C by a simple, cost effective ultrasonic spray pyrolysis method using commercially available TiO2 powder (Degussa P25) as a source . The aim of this study is to investigate the effect of substrate temperature on the properties of the deposited thin films. Several analysis techniques were used to characterize the prepared thin films. X ray diffraction XRD was used as a structural analyzing technique. It revealed that these films are amorphous in nature. The films were subsequently annealed at 500 °C for 2 hours but their amorphous nature did not change. Infrared (IR) absorption spectroscopy and ultraviolet-visible UV-Vis transmittance measurements as optical analyzing techniques were used to determine the functional groups and to deduce the direct and indirect band gaps respectively. The electrical analysis by the four point technique, was used to evaluate the sheet resistance of the samples. Finally a simple test with an adhesive investigated the adherence and hence the mechanical property of the TiO2 thin films.

 

Num :.27

Nom & Prénom de l’étudiant

Dhib samir

Date et lieu de soutenance

JUIN 2015 Université de Biskra

Rapporteur

Nouredine Sengouga

Intitulé du titre du master

Conception d’une cellule solaire à base d’une hétérojonction Si/SiGe

URL résumé ou version pdf

Le matériau silicium germanium (SiGe) est utilisé comme couche absorbante dans le domaine des cellules solaires multi-jonctions. SiGe est un bon candidat pour le fond d'une cellule de pile à triple jonction ou double jonction à cause de sa grande mobilité, constante de réseau réglable, et la capacité d'absorber la lumière de longueurs d'onde jusqu'à 1800 nm. L’augmentation du photocourant est du à l'augmentation de l'absorption de la lumière proche infrarouge du matériau SiGe. Cependant, une baisse de la tension en circuit ouvert ne peut également être évitée en raison de l'augmentation de la concentration en porteurs intrinsèque en raison de la largeur de bande interdite de SiGe inférieur à celui de Si. Dans ce travail, l’effet de la largeur de la couche du SiGe ainsi que sa fraction molaire sur la performance de la cellule solaire est étudiée en utilisant des simulations TCAD. Les performances augment dans les deux cas.

 

 

 

Num :.28

Nom & Prénom de l’étudiant

Dahmane Hadjer

Date et lieu de soutenance

JUIN 2015 Université de Biskra

Rapporteur

Abdeslam Nora Amèle

Intitulé du titre du master

Étude par simulation des caractéristiques électriques d’un transistor à haute mobilité d'électrons basé sur une hétérojonction AlGaN/GaN.

URL résumé ou version pdf

Ce travail s’intéresse a la simulation des caractéristiques de sortie de transistor de haute mobilité d’électron AlGaN/GaN HEMT fondée sur la modélisation bidimensionnelle et selon le modèle dérive-diffusion. Une étude exhaustive des transistors à base de GaN est réalisée et une particulière importance est donnée à la charge d’interface dû à la polarisation spontanée et piézoélectrique qui régie les matériaux III-V. La simulation est faite avec le logiciel Silvaco-Atlas. L’effet des propriétés physiques telles que la charge de polarisation ns selon la fraction d’Al et le dopage de la couche barrière (AlGaN) et technologiques: type de substrat et le travail de sortie de la grille, ont été explorés. L’augmentation de la charge de polarisation améliore appréciablement le courant de drain Ids car la densité des porteurs de charge 2DEG sont essentiellement responsables de la conduction. L’effet de dopage de la barrière est positif mais il ne doit pas dépasser 1e18/cm3 pour des conditions de convergence et le problème de dopage résiduel. Ces effets affectent aussi la tension de seuil Vth et l’augmentent négativement. Le choix du substrat constitue aussi un majeur défi pour développer les performances du transistor. L’influence du travail de sortie de l’électrode de commande (grille) mérite une attention spécial vu qu’il lié directement a la tension de seuil via la barrière de Schottky et ainsi la densité des porteurs responsables de la conduction. Ici, en le diminuant, il améliore les performances de transistor tel que le courant et Ids, le maximum de la transconductance gmmax et la tension de seuil Vth. Les résultats obtenus sont confirmés par ce qui est publié expérimentalement.

 

 

 

 

Num :.29

Nom & Prénom de l’étudiant

Remagui Temam Imane

Date et lieu de soutenance

JUIN 2015 Université de Biskra

Rapporteur

Abdeslam Nora Amèle

Intitulé du titre du master

Simulation d’un transistor a haute mobilité d’électrons à base de GaAs

(AlGaAs/InGaAs/GaAs HEMTs)

URL résumé ou version pdf

La croissance exceptionnelle de plus en plus connu par l'industrie des circuits intégrés repose actuellement sur la réduction des dimensions des dispositifs et des composants actifs tels que des HEMT et pHEMT. Le pHEMT présenté une meilleure composante en micro-ondes avec des caractéristiques de bruit les plus faibles. Pour répondre aux besoins croissants de l'augmentation de la fréquence, l'idée de base était de remplacer le canal GaAs par un autre matériau avec un écart de faible vitesse permettant un champ électrique aussi élevée que possible: InGaAs. Le pHEMT est actuellement l'élément flagship de la conception de l'amplificateur de puissance. Il est plus efficace dans le bruit, la puissance et permet en outre des applications en fréquence plus loin.

L'objectif de ce travail est de simuler et étudier les performances du transistor pHEMT AlGaAs/ InGaAs/GaAs. Cette étude est effectuée en utilisant un simulateur Silvaco, et par les résultats obtenus, il serait souhaitable d'approfondir la présente étude. Malgré que L’ajout du contenu d’Indium dans le canal InGaAs augmente le courant, il diminue le maximum de la transconductance gmmax. Agrandir la densité de charge dans le canal améliore tous les caractéristiques de sortie du transistor mais cela est limités par la l’épaisseur du canal par risque d’introduire l’effet dispersive et donc réduire la mobilité des porteurs. L’insertion de la couche InAs influence positivement les performances  La réduction de la longueur de la grille améliore le courant de saturation de drain et aussi le maximum de la transconductance et la tension de seuil. Le type de substrat exige d’être choisit sur base de qualité structural et propriétés électroniques.

 

 

 

 

Num :.30

Nom & Prénom de l’étudiant

Gacem Nawel

Date et lieu de soutenance

JUIN 2015 Université de Biskra

Rapporteur

Abdeslam Nora Amèle

Intitulé du titre du master

Simulation d’un transistor  a double hétérojonction  basé sur les Matériaux III-V (AlGaN/InGaN/GaN DH-HEMTs )

URL résumé ou version pdf

La double hétérostructure AlGaN/InGaN/GaN (DH-HEMT) sur des substrats semi-isolants de SiC ont été rapportés avec une grande efficacité de puissance et simulé par silvaco-Atlas TCAD. Notre travail consiste à simuler cette structure, on tenant compte des grandeurs physiques et technologiques qui puissent influencer ses performances. Le contenue d’Indium peut augmenter la hauteur de la discontinuité de la bande de conduction qui améliore le confinement des porteurs comparé au puits de potentiel triangulaire dans une simple hétérostructure. En outre, les expériences de canal treillis contrainte des deux côtés, ce qui devrait conduire à une meilleure densité 2DEG et une plus grande mobilité. Le dopage de la couche barrière améliore aussi le courant par augmentation de la densité charge ns qui est responsable de l’élévation de la transconductance et une meilleure maîtrise de l’électrode de la grille. Les paramètres technologiques consistent à la sélection du substrat et de la longueur de la grille en vue de leur influence sur les propriétés physiques. Néanmoins, plusieurs paramètres étudies peuvent introduire un désaccord de maille qui diminue la mobilité est ainsi réduire le maxima de la transconductance et par conséquence la fréquence de coupure.

 

 

Nom & Prénom de l’étudiant

Miloudi Wafa

Date et lieu de soutenance

JUIN 2014 Université de Biskra

Num :.31

Rapporteur

Abdeslam Nora Amele

Intitulé du titre du master

Simulation d’un Transistor HEMT a base de GaAs (AlGaAS/GaAs)

 

URL résumé ou version pdf

Dans ce manuscrit, nous avons mené une étude des caractéristiques de transfert DC et RF d’un transistor a effet de champ AlGaAs/GaAs HEMT. Nous exposons les résultats de la simulation numérique bidimensionnelle sous l’influence de différents paramètres technologiques tels que longueur et enfoncement de la grille. Aussi sous l’effet des propriétés de matériau autant que le dopage du canal et la fraction molaire d’Aluminium dans l’alliage AlGaAs. La simulation de la structure est faite en utilisant le logiciel TCAD (Technical computer Aided Design) Silvaco-Mercury. L’étude a permis d’évaluer les relations entre les paramètres de sortie de transistor et ceux de la physique de l’hétérojonction. L’augmentation de la fraction molaire d’Aluminium a clairement diminué le courant Ids et le maximum de la transconductance Gmmax, cela est dû à la diminution de la densité ns (2DEG). L'efficacité du transfert des électrons à partir de la couche delta-dopée (ns) dans le canal AlGaAs offre une meilleure capacité de commande d'électrons par la grille. Cependant le fait de croître la densité de dopage (ns) améliore la caractéristique de transfert (Ids-Vds) et la transconductance en fonction de la tension grille. La réduction de la longueur de grille et la modération de l’enfoncement de cette électrode jouent un rôle propice en amélioration des performances de transistor à effet de champ. Les résultats obtenus ont été présentés, discutés et sont affirmés avec ceux de l’expérience existant dans la littérature.

 

 

 

 

 

Num :.32

Nom & Prénom de l’étudiant

Dahmane Khalida

Date et lieu de soutenance

JUIN 2014 Université de Biskra

Rapporteur

Abdeslam Nora Amele

Intitulé du titre du master

Etude et simulation d’un transistor AlGaN/GaN HEMT

 

URL résumé ou version pdf

Ce document traite de la simulation des caractéristiques de sortie de transistor High Electron Mobility Transistors AlGaN/GaN HEMT en vue de leur modélisation. Une étude exhaustive des transistors à base de GaN est réalisée. Une importance particulière est donnée à la charge d’interface dû a la polarisation piézoélectrique. La simulation bidimensionnelle est faite avec le logiciel Silvaco-Atlas. L’effet des propriétés physiques (matériau: la charge d’interface et le dopage du canal) et structurales (longueur de la grille (Lg), distance entre le drain et la source (LSD), le choix du substrat) ont été explorés. L’augmentation de la charge d’interface améliore le courant de drain Ids d’une façon intéressante car la densité des porteurs de charge 2DEG sont essentiellement responsables de la conduction. Le canal doit être le moins dopée possible par ce que la vitesse des électrons est d’autant plus grande que le dopage du semiconducteur est faible dû a la réduction de la dispersion d’impuretés ionisés. Le choix du substrat constitue aussi un effet majeur afin d’augmenter les performances du transistor. L’influence de la réduction de l’espace drain-source LSD  et la longueur de la grille a clairement amélioré le courant et Ids et le maximum de la transconductance Gmmax. Les résultats obtenus sont confirmés par ce qui est publié expérimentalement.

 

 

Num :.33

Nom & Prénom de l’étudiant

Mechgoug Amina

Date et lieu de soutenance

JUIN 2014 Université de Biskra

Rapporteur

Abdeslam Nora Amele

Intitulé du titre du master

simulation d’un transistor AlGaN/InGaN/GaN a effet de champs (HEMT)

URL résumé ou version pdf

Notre travail consiste à simuler en deux dimensions par Silvaco-Atlas, un transistor a effet de champ de haute mobilité AlGaN/InGaN/GaN, en tenant compte des grandeurs qui puissent influencer ses performances. Ainsi, nous pourrions optimiser notre dispositif. Avec l’utilisation de la couche de canal InGaN, une amélioration supplémentaire dans les applications de puissance à micro-ondes à peut être obtenue. Le placement d'un canal InGaN entre des couches de GaN et/ou AlGaN produit un double hétérostructure, qui a des propriétés d’amélioration de confinement des porteurs comparé au puits de potentiel triangulaire qui existe dans une seule hétérostructure. En outre, les expériences de canal treillis contrainte des deux côtés, ce qui devrait conduire à une meilleure densité 2DEG et une plus grande mobilité. L’augmentation du contenu d’Indium induit une large charge de polarisation à l’interface AlGaN/InGaN conduisant à l’accroissement du courant du canal. Élever la concentration des électrons responsables de la conduction ns améliore les caractéristiques de sortie (Id-Vd), (Id-Vg) et (Gm-Vg) du transistor. L’accroissement du courant fourni par l’augmentation de ns et aussi responsable de l’élévation dans la valeur du pic de la transconductance ainsi une meilleure maîtrise de contrôle de l’électrode de la grille. L’étude technologique de ces composants consiste a la sélection du substrat basant sur les facteurs du choix qui sont : l’accord de maille ou le rapprochement du coefficient de conductivité thermique.  La réduction de longueur de la grille est aussi une façon technologique pour la progression de la capacité de contrôle de la grille qui mène à l’évolution des éléments de transistor telle que la transconductance et la fréquence de coupure ainsi la caractéristique de transfert. La réduction de l’espace de séparation entre le drain et la source conduit à des bons performances du HEMT a base de GaN.

 

Num :.34

Nom & Prénom de l’étudiant

Hakkoum Hadjer

Date et lieu de soutenance

JUIN 2015 Université de Biskra

Rapporteur

Nouredine Sengouga

Intitulé du titre du master

Design of MOSFETs

URL résumé ou version pdf

In this work, a 45nm scaled channel of NMOS is designed its electrical characteristics are studied. Athena and ATLAS modules of SILVACO software were used. The two characteristics IDS – VG and IDS – VD were simulated for different process parameters: gate oxide thickness, channel doping and channel implantation. The threshold voltage Vth (the most important MOS parameter) was then extracted and its sensitivity to the above parameters was studied. The threshold voltage increases with increasing oxide thickness, channel implantation and channel doping.

 

Num :.35

Nom & Prénom de l’étudiant

Mazouzi Asma

Date et lieu de soutenance

JUIN 2014 Université de Biskra

Rapporteur

Nouredine Sengouga

Intitulé du titre du master

Elaboration des nano poudres de ZnO pures et dopées avec Bi par voie chimique sol-gel

URL résumé ou version pdf

Ce travail concerne l’élaboration et la caractérisation des poudres d’oxyde de zinc (ZnO) dopé et non dopé par le bismuth (Bi) par la méthode sol-gel. Les trois échantillons dopés par 5%, 10%et 20% de Bi. En utilisant la technique de diffraction des rayons x (DRX), l’étude de la structure cristalline des quatre échantillons a été étudiée. Il a été trouvé que tous les échantillons ont une structure cristalline hexagonale compacte (wurtzite) avec des paramètres de maille : a=0.3211 nm et c=0.5148  nm. L’étude par la technique des infrarouge (FTIR) a révélé les une liaison OH.

 

Num :.36

Nom & Prénom de l’étudiant

Moussaoui Leila

Date et lieu de soutenance

JUIN 2013 Université de Biskra

Rapporteur

Nouredine Sengouga

Intitulé du titre du master

Effet de la lumière sur les caractéristiques électriques des dispositifs à semiconducteurs

URL résumé ou version pdf

L’effet de la lumière sur  les caractéristiques courant-tension (I-V) et capacité-tension (C-V) pour trois diodes Schottky est une photodiode est mesuré.  Les caractéristiques courant-tension (I-V) sont meusrées manuellement tandis que les caractéristiques capacité-tension (C-V) sont automatisés à l’aide du logiciel LabView . Les diodes sont à base de puits quantiques GaAs/AlGaAs qui sont fabriquées à l’Université de Nottingham. La photodiode est une PIN commerciale (BPX65) à base du Si cristallin. Il a été trouvé que  le courant (direct et inverse) augmente avec l’augmentation de l’intensité de la lumière pour tous les échantillons. Le courant inverse augmente avec l’augmentation de la tension indiquant la présence des défauts. La capacité de la photodiode augmente aussi  avec l’augmentation de l’intensité de la lumière.

 

Num :.37

Nom & Prénom de l’étudiant

Nacer Soufiane

Date et lieu de soutenance

JUIN 2014 Université de Biskra

Rapporteur

Nouredine Sengouga

Intitulé du titre du master

Simulation des cellules solaires en Nitrure de Gallium (GaN) par SILVACO

URL résumé ou version pdf

Gallium Nitride (GaN) is used as an absorbent layer in multijunction cells. These solar cells are mainly used in space because they have a great resistance to cosmic radiation high-energy( MeV) thanks to the direct and wide energy gap. The only drawback in this solar cell is weak photo-current, which affects the overall current of the multijunction solar cell. In this work we study the effect of increasing the proportion of indium (In) which replaces Ga on the solar cell properties. The goal is to improve the photocurrent to be used in multijunction solar cells based on p-InxGa1-xN/n- InxGa1-xN, junction. It was found that the proportion of indium (x = 0.84) greater current (13.5m A). However other parameters are degraded.

 

Num :.38

Nom & Prénom de l’étudiant

Saadoune Karima

Date et lieu de soutenance

JUIN 2013 Université de Biskra

Rapporteur

Nouredine Sengouga

Intitulé du titre du master

Effet de la température sur les caractéristiques électriques des dispositifs à semiconducteurs

URL résumé ou version pdf

Dans ce travail, nous avons mesuré les caractéristiques courant-tension (I-V) et capacité-tension (C-V) des diodes Schottky. Ces diodes ont des structures en puits quantiques GaAs/AlGaAs qui sont fabriquées à l’Université de Nottingham. Ces caractéristiques sont mesurées à différentes températures. Nous avons utilisé le logiciel LabView pour commander les appareils disponibles au niveau du laboratoire LMSM. Pour la diode NU780 les caractéristiques I-V et C-V sont mesurés en fonction de la température tandis que que pour la diode NU781, seules les caractéristiques I-V sont mesurés en fonction de la température. Le courant augmente avec l’augmentation de la tension. En polarisation directe cette augmentation  est entre exponentielle et linéaire pour la première diode et presque linéaire pour la deuxième. En polarisation inverse le courant augmente avec l’augmentation de la tension. Ce comportement est du à la présence des défauts. Le courant, soit direct ou inverse, augmente légèrement avec la température puis diminue. Ceci aussi est du à la présence des défauts. La capacité inverse diminue avec l’augmentation de la polarisation et légèrement avec la température à cause des défauts.

 

Num :.39

Nom & Prénom de l’étudiant

Zabila Zaineb

Date et lieu de soutenance

JUIN 2015 Université de Biskra

Rapporteur

Nouredine Sengouga

Intitulé du titre du master

Conception d’une cellule solaire à base d’une hétérojonction Si-TiO2

URL résumé ou version pdf

Ce travaille est une contribution à la simulation de la cellule solaire à hétérojonction formé, d’un substrat au silicium et d’un émetteur à base d’oxyde de titane TiO2 en couche mince. L’hétérojonction TiO2-Si est simulée à l'aide du logiciel Silvaco Atlas, dans le but d'optimiser le rendement en agissant sur quelque élément constituant la cellule (l'épaisseur, dopage). Les résultats ont montré que la tension du circuit ouvert et  la densité le courant du court-circuit de la cellule à hétérojonction TiO2-si peuvent atteindre 21.68 mA/cm2 et 0.68 V, respectivement et rendement peuvent atteindre 5.88%.

 

 

 

 

 

Num :40

Nom & Prénom de l’étudiant

Cette adresse email est protégée contre les robots des spammeurs, vous devez activer Javascript pour la voir. "'; var path = 'hr' + 'ef' + '='; var addy93310 = 'abirtechno' + '@'; addy93310 = addy93310 + 'hotmail' + '.' + 'com'; var addy_text93310 = 'CHERAIET'; document.write( '' ); document.write( addy_text93310 ); document.write( '<\/a>' ); //--> Cette adresse email est protégée contre les robots des spammeurs, vous devez activer Javascript pour la voir. Abir

Date et lieu de soutenance

Juin 2015   U. Biskra

Rapporteur

SAADOUNE Achour

Intitulé du titre du master

Etude comparative des propriétés électriques du transistor SBMFET et BMFET en utilisant le simulateur atlas-silvaco

URL résumé ou version pdf

Le transistor BMFET est un composant majeur utilisé dans les dispositifs électroniques. Ce travail a pour but de simuler numériquement l’influence des paramètres tels que la température et les pièges présents dans le canal sur les caractéristiques courant-tension des deux types de transistors BMFET et SBMFET en utilisant le simulateur Atlas Silvaco, Technical Computer Aided Design (TCAD).

 

Num.41

Nom & Prénom de l’étudiant

CHERGUI Amel

Date et lieu de soutenance

Juin 2015    U. Biskra

Rapporteur

SAADOUNE Achour

Intitulé du titre du master

Modélisation et simulation de l'effet des pièges sur le transistor MESFET SiC en utilisant le simulateur atlas-silvaco''

URL résumé ou version pdf

Le SiC étant considéré comme l’un des matériaux les plus prometteurs pour la réalisation de composants électroniques et de capteurs, pouvant fonctionner à très hautes températures, à très forte puissance et en milieu hostile (corrosion, irradiation). Les transistors MESFETs sont en général utilisés dans des dispositifs actifs, tels que des amplificateurs de puissance

Ce travail a pour but de simuler numériquement l’effet des pièges accepteurs présents dans le substrat sur les caractéristiques courant-tension de transistor 4H-SiC MESFET en utilisant le simulateur Atlas Silvaco, Technical Computer Aided Design (TCAD).

 

Num :42

Nom & Prénom de l’étudiant

CHAMAKHI Soumia

Date et lieu de soutenance

Juin 2014    U. Biskra

Rapporteur

SAADOUNE Achour

Intitulé du titre du master

Evaluation des paramètres électriques d’une diode à barrière de Schottky (SBD) a base de phosphure d'indium par I-V et C-V

URL résumé ou version pdf

L’objective du présent travail est la modélisation et simulation par le simulateur SILVACO ATLAS TCAD (Technology Computer Aided Design) des caractéristiques électriques courant-tension et capacité-tension de la diode à barrière de Schottky (SBD) formées sur un substrat de phosphure d’indium (Au-InP) dans une gamme de température et d’évaluer les principaux paramètres qui caractérisent la diode Schottky tel que, le facteur d’idéalité, la hauteur de barrière, et le courant de saturation, en utilisant la méthode des moindres carrées. 

 

Num :43

Nom & Prénom de l’étudiant

GHACHAME Sameh

Date et lieu de soutenance

Juin 2014    U. Biskra

Rapporteur

SAADOUNE Achour

Intitulé du titre du master

Caractéristiques électriques d’une diode à barrière de Schottky (SBD) avec et sans couche isolante SiO2 à la température ambiante

URL résumé ou version pdf

L’objectif du présent travail est la modélisation et simulation par le simulateur SILVACO ATLAS TCAD (Technology computer Aided Design) les propriétés électriques courant-tension et capacité-tension d’une diode à barrière de Schottky (SBD) formée sur l'arséniure de gallium de type n (n-GaAs) en vue d’une étude comparative d’une diode sans et avec couche d’isolante (SiO2). On utilise la caractéristique courant-tension pour extraire les principaux paramètres qui caractérisent la diode Schottky tel que le facteur d'idéalité, la hauteur de la barrière, le courant de saturation, la résistance série.

 

Num :44

 

Nom & Prénom de l’étudiant

Zighem Mohammed Ennadhir

Date et lieu de soutenance

Juin 2013    U. Biskra

Rapporteur

BEKHOUCHE Khaled

Intitulé du titre du master

Modélisation analytique de l’efficacité de collection de charge d’un détecteur de particule au silicium

URL résumé ou version pdf

Les détecteurs des particules sont utilisés dans le domaine de la physique de particule ainsi que dans d'autres disciplines. Lorsqu’un détecteur est exposé aux radiations (électron, proton, photon….etc.) il en résulte une dégradation dans ses caractéristiques électriques : efficacité de collection de charge (CCE), densité effective des impuretés, tension de déplétion, courant de fuite, ,…..etc. L’objectif de ce présent travail est d'étudier les effets des pièges, créé par les radiations, sur la CCE en utilisant deux modèles analytiques. La CCE est améliorée en augmentant en même temps la tension de polarisation et la longueur de détecteur alors qu'elle diminue lorsque la densité de pièges augmente (réduction de la durée de vie des porteurs de charge).

 

Num :45

Nom & Prénom de l’étudiant

DJAROU Hadjer

Date et lieu de soutenance

Juin 2015    U. Biskra

Rapporteur

MEGHERBI Med Larbi

Intitulé du titre du master

Influence de l’état de surface sur les caractéristiques d’une diode PIN à base 4H-SiC

URL résumé ou version pdf

Les besoins en diode pin de puissance n'ont cessé d'augmenter ces dernières années. Le principal but de notre travail est de simuler numériquement l’effet des défauts du matériau (section de capture et la densité) dans les caractéristiques courants tensions d’une diode pin à base 4H-SiC en utilisant le simulateur Atlas Silvaco, Technical Computer Aided Design (TCAD). Le projet contient une partie sur les généralités du carbure de siliciums et un résumé de certaine propriété physique. Nous établirons aussi une inspection principaux des défauts native dans le SiC. Dans ce travail, la simulation a montré que la densité de courant démunie avec l’augmentation de la densité des pièges, même remarque pour la section de capture ce qui entraine une démunition dans la densité de courant.

Mots clés : 4H-SiC, Silvaco, atlas, TCAD, PiN.

 

Num :46

Nom & Prénom de l’étudiant

KAHLOUL Mohamed

Date et lieu de soutenance

Juin 2014    U. Biskra

Rapporteur

MEGHERBI Med Larbi

Intitulé du titre du master

Conception et simulation d’un circuit numérique en Technologie CMOS avec simulateur Micro Wind

URL résumé ou version pdf

Dépendant de la croissance extraordinaire rencontrée par l’industrie des composants et le périphérique en circuits intégrés tels que les transistors à effet de champs et transistor à grille isolé actifs (MOSFET).

Dans ce cadre, nous avons fourni la technologie CMOS, en expliquant la base de la technologie CMOS, le processus d’amélioration, étapes de fabrication de des transistors nMOS, règles de conception, de la planification et des problèmes de cette technologie.

Après cela, nous avons présentés un programme de simulation Micro wind en en traitant tous les détails. En fin de compte, nous avons conçu un circuit résonateur et nous avons fait la simulation par ce programme. Les résultats ainsi obtenus en termes de fréquence en changeant les technologies et les dimensions et les résultats étaient satisfaisantes.

Mots clés : (MOSFET), CMOS, Micro Wind, simulation, résonateur

 

Num :47

Nom & Prénom de l’étudiant

BENDRIHEM Omayma

Date et lieu de soutenance

Juin 2014    U. Biskra

Rapporteur

MEGHERBI Med Larbi

Intitulé du titre du master

Effet du défaut sur la caractéristique du transistor BMFET à base 4H-SiC

URL résumé ou version pdf

Le transistor (Bipolar modulated field effect transistor) à base de carbure de silicium noté BMFET 4H-SiC est un nouveau composant utilisé dans les dispositifs électroniques. Le principal but de notre travail est de simuler numériquement l’effet des défauts du matériau (section de capture et la densité) dans les caractéristiques I-V en utilisant le simulateur Atlas de Silvaco TCAD. Le projet contient une partie sur les généralités du carbure de silicium et un résumé de certaines propriétés physiques. Nous établirons aussi une inspection sur    les principaux défauts native dans le SiC.

Dans ce travail, la simulation a montré que le courant drain-source (Ids-Vds) démunie avec l’augmentation de la densité des pièges, même remarque pour la section de coupure ce qui entraine une diminution  dans le gain.

Mots clés: 4H-SiC, Silvaco, atlas, TCAD, BMFET, Simulation, Gain

 

Num :48

Nom & Prénom de l’étudiant

DJEROU Soufiane

Date et lieu de soutenance

Juin 2013    U. Biskra

Rapporteur

MEGHERBI Med Larbi

Intitulé du titre du master

Influence du changement de la dimension et du dopage sur la caractéristique du transistor BMFET à base 4H-SiC

URL résumé ou version pdf

 

 

Num :49

Nom & Prénom de l’étudiant

RAHAL Mohamed Oussama

Date et lieu de soutenance

Juin 2013    U. Biskra

Rapporteur

TERGUINI Warda

Intitulé du titre du master

Simulation des effets de radiation sur le détecteur de particule à base de silicium par le logiciel Tcad -Silvaco

URL résumé ou version pdf

L’objectif de ce travail est d’étudier les effets d’irradiation sur la jonction PN utilisée come détecteur de particules, on utilisant un logiciel commercial «Tcad silvaco ».

Lorsque cette jonction est soumise à des fortes radiations, des défauts structuraux sont crées qui ont des effets indésirables et peuvent dégrader les performances des détecteurs, ces défauts se manifestent comme des pièges profonds influent sur le courant inverse de la diode.

 

Num :50

Nom & Prénom de l’étudiant

TOUATI Mohamed Houssem Eddine

Date et lieu de soutenance

Juin 2014, Université de Biskra

Rapporteur

Hamaizia Zahra

Intitulé du titre du master

Conception et Simulation d’une antenne micro-ruban circulaire

URL résumé ou version pdf

 

 

Num 51

Nom & Prénom de l’étudiant

LALMI Hadda

Date et lieu de soutenance

Juin 2015, Université de Biskra

Rapporteur

Hamaizia Zahra

Intitulé du titre du master

Conception et simulation d'un réseau d'antennes microrubans circulaires pour les applications radar

 

URL résumé ou version pdf

 

 

Num :52

Nom & Prénom de l’étudiant

BENMOUSSA Ahlam

Date et lieu de soutenance

Juin 2015, Université de Biskra

Rapporteur

Hamaizia Zahra

Intitulé du titre du master

Etude et conception d’un amplificateur de puissance PA pour les applications sans fil

URL résumé ou version pdf

 

 

Num :53

Nom & Prénom de l’étudiant

Makhlouf Zahra

Date et lieu de soutenance

Juin-2013

Rapporteur

MEFTAH Afak

Intitulé du titre du master

Etude classique et quantique de l’hétérojonction AlGaAs/GaAs

URL résumé ou version pdf

Ce travail est une simulation numérique des hétérojonctions simples AlGaAs/GaAs en utilisant le modèle de transport électrique classique et quantique. Ceci est fait par le logiciel Silvaco-Atlas. L’hétérojonction étudiée est isotype AlGaAs(n)/GaAs(n) avec trois cas de polarisation: l’équilibre thermodynamique, polarisation positive et polarisation négative. La différence entre le modèle classique est quantique est dans la plus part des cas se produit à l'interface. Une exception est notée en cas de polarisation positive de l'anode pour la densité des électrons et le courant électrique également.

Mots clés : hétérojonction, Silvaco-Atlas,AlGaAs/GaAs,

 

Num :54

Nom & Prénom de l’étudiant

Djeghbala  Afaf

Date et lieu de soutenance

Juin 2013

Rapporteur

MEFTAH AFAK

Intitulé du titre du master

Etude  par simulation numérique de L’effet de dopage et epaisseurs sur les caractéristiques électriques d’une Cellule solaire (p/n) en Silicium

URL résumé ou version pdf

Ce travail est une etude  par simulation numérique de L’effet de dopage et épaisseurs sur les caractéristiques électriques d’une Cellule solaire (p/n) en Silicium. En résumée :

  • La diminution de l’épaisseur de l’émetteur améliore le rendement de conversion de la cellule et la réponse spectrale pour les longueurs d’onde courtes.
  • L’augmentation de l’épaisseur du collecteur améliore aussi le rendement de la cellule et la réponse spectrale pour les longueurs d’onde longues.
  • L’augmentation du dopage de l’émetteur entraine une augmentation dans la tension de circuit ouvert et le facteur de forme alors que le photo-courant est pratiquement constant.
  • L’augmentation du dopage du collecteur n’a pas d’effet signifiant.

Une optimisation supplémentaire des paramètres de sortie de la cellule à été effectuée par l’ajout de régions fortement dopées au dessous des contacts ; p++ coté émetteur et n++ coté collecteur. Ceci a donné un bon rendement de conversion de 14% devant 11-12% de la cellule simple p-n.

 

Num :55

Nom & Prénom de l’étudiant

HFAYAD Massika

Date et lieu de soutenance

Juin 2014

Rapporteur

MEFTAH AFAK

Intitulé du titre du master

Simulation numérique d’une cellule solaire en GaAs

URL résumé ou version pdf

Nous avons effectué dans ce mémoire la simulation numérique des caractéristiques électriques, courant-tension et réponse spectrale, d'une cellule solaire en p-n en GaAs. Les paramètres de sortie de la cellule calculés par simulation sont 30.64 mA/cm2, 0.917 V, 85.43% et un rendement de 24.01 %. On a fait également une étude de l'effet de l'épaisseur et du dopage de l'émetteur et du collecteur, ainsi que les densités des défauts intrinsèques sur les paramètres de sortie de la cellule qui sont, la tension de circuit ouvert , le courant de court circuit , le facteur de forme  , le rendement de conversion , et la réponse spectrale. D'après les résultats, les paramètres du collecteur ont plus d'effets par rapport à ceux de l'émetteur. L'augmentation de la densité du piège profond à électron (0.46 eV par rapport à ) de  induit une diminution dans le rendement de conversion de la cellule de 20.2% (de 26.94 à 21.5%). Alors que l'augmentation de la densité du centre de recombinaison (0.71 eV) cause une diminution de 7.9% (de 26.96 à 24.81%).

 

Num :56

Nom & Prénom de l’étudiant

HASNI Chahrazed

Date et lieu de soutenance

Juin 2014

Rapporteur

MEFTAH AFAK

Intitulé du titre du master

Comparaison par simulation numérique entre une cellule solaire P-N et une cellule solaire N-P en silicium cristallin

URL résumé ou version pdf

Nous avons effectué dans ce mémoire la simulation numérique des caractéristiques électriques, courant-tension et réponse spectrale, d'une cellule solaire en silicium cristallin par le logiciel SCAPS. Une comparaison entre la structure n-p et p-n de la cellule est faite et on a trouvé que la cellule p-n présente le meilleur rendement de conversion de 13.24%. Pour chaque structure, on a fait également une étude de l'effet de l'épaisseur et du dopage de l'émetteur et du collecteur sur les paramètres de sortie de la cellule qui sont, la tension de circuit ouvert , le courant de court circuit , le facteur de forme  et le rendement de conversion , ainsi que la réponse spectrale. D'après les résultats, les paramètres du collecteur ont plus d'effets par rapport à ceux de l'émetteur.

 

 

Num :57

Nom & Prénom de l’étudiant

Rahma Lakhdari

Date et lieu de soutenance

Juin 2014

Rapporteur

MEFTAH AFAK

Intitulé du titre du master

Etude par simulation numérique de l’effet des défauts  dans une cellule solaire N/P en silicium cristallin

URL résumé ou version pdf

Dans ce mémoire nous avons fait l'étude de l'effet des défauts sur les paramètres électriques d'une cellule solaire n-p en silicium cristallin. Les paramètres électriques sont la caractéristique J-V, le rendement quantique et la paramètres de sortie de la cellule calculé par le logiciel SCAPS. Les paramètres de sortie calculés pour la cellule sont: 33.68 mA/cm2, 0.5 V, 79.49% et un rendement de 13.41%. Pour une densité 1015 cm-3 de défauts, le rendement de conversion de la cellule a présenté une dégradation de 47.8% si le défaut est un centre de recombinaison, une dégradation de 5-6% si le défaut est un piège à trous. Pour le piège à électron, nous avons trouvé que la position de l'énergie du défaut a un grand effet. La dégradation du rendement atteint 59% lorsque le piège est situé à 0.12 eV par rapport à  et chute à 1% lorsque le piège est situé à 0.1 eV par rapport à.

 

 

Num :58

Nom & Prénom de l’étudiant

GATT Fairouz

Date et lieu de soutenance

Juin 2013, Université de Biskra

Rapporteur

Lakel said

Intitulé du titre du master

Etude ab initio des propriétés structurales, électroniques et optiques des composées binaires III-P

URL résumé ou version pdf

Les semi-conducteurs (III-V) à base de phosphore, tels que le BP, AlP, GaP et InP, présentent des performances exceptionnelles lorsqu’ils sont utilisés dans des dispositifs optoélectroniques et d’autres applications dans le développement de nouvelles technologies. Cependant, la fabrication de ces composés n’est pas facile, en raison des difficultés de synthétisation. D’où, la bonne connaissance de leurs propriétés est indispensable. De nos jour, les méthodes de type ab initio se révèlent de plus en plus comme étant un outil de choix pour interprétés à l’échelle microscopique les observations expérimentales et guider efficacement le choix des expérimentales. Les propriétés structurales, électroniques, élastiques et optiques des composés (XP) sont calculés par la théorie de la fonctionnelle de la densité (DFT) en utilisant la méthode de pseudo potentiels et cela dans le cadre des approximations LDA et GGA. Les propriétés structurales, élastiques et optiques (L’indice de réfraction. ... ) ainsi que les propriétés électroniques (structure de bande et densité d’état) sont calculées. Les

 

Num :59

Nom & Prénom de l’étudiant

AGGTI Samiha

Date et lieu de soutenance

Juin 2014, Université de Biskra

Rapporteur

Lakel said

Intitulé du titre du master

Prédiction des propriétés structurales, élastiques et optiques des composées binaires ZnO et  BeO.

 

URL résumé ou version pdf

Dans ce travail, nous avons fait une étude sur les propriétés structurales, électroniques, élastiques, et optiques des composés (ZnO, BeO), nos calculs basé sur la  théorie de la fonctionnelle de la densité (DFT). En utilisant  la méthode de pseudo potentiels et cela  dans le cadre des approximations LDA  et GGA. Pour les composés ZnO et BeO, les paramètres de maille et les positions atomiques sont bien optimisés. Les  propriétés structurales, élastiques et optiques ainsi que  les propriétés électroniques (structure de bande et densité d’état) sont calculées. Les résultats obtenus par la simulation et en bon accord avec les résultats expérimentaux et les calculs théoriques disponibles.

 

Num :60

Nom & Prénom de l’étudiant

CHELLOUAI Adel

 

Date et lieu de soutenance

Juin 2014, Université de Biskra

Rapporteur

Lakel said

Intitulé du titre du master

Etudes des propriétés structurales,électroniques ,élastiques et optiques des composés binaires  ScX (X = N, P, As et  Sb)

URL résumé ou version pdf

En utilisant le programme (CASTEP) qui utilise la méthode de pseudo-potentiel, qui est basé de la théorie fonctionnelle de densité (DFT). Nous calculons les propriétés structurales, électroniques, mécaniques et optiques des composés (ScN, ScP, ScAs et ScSb) ont utilisé l’approximation de la densité locale (LDA) et l’approximation gradient généralisée (GGA), pour calculer le potentiel d’échange et corrélation (Vxc) à l'objectif du calcul des propriétés structurelles (constant de maille et constant de rigidité), les propriétés électroniques (structures de bande et densité d'états) , les propriétés élastiques (les constantes élastiques, le module élastiques) et optiques (coefficient diélectrique et de l'indice de réfraction, coefficient d'absorption ...) et les résultats obtenus accord aux les résultats expérimentaux disponibles.

 

Num :61

Nom & Prénom de l’étudiant

Mezhoud Leila

Date et lieu de soutenance

Juin 2013 , Univ. Biskra

Rapporteur

Meftah Amjad

Intitulé du titre du master

Etude des caractéristiques électriques de cellule solaire à hétérojonction CdS/CIGS (cadmium- sulfide/ cuivre- indium- gallium- sélénium)

URL résumé ou version pdf

Dans ce travail nous avons effectué l’étude des caractéristiques électriques d’une cellule solaire (n-p) à hétérojonction (CdS/CIGS) sous l’éclairement AM1.5 en utilisant comme outil de simulation numérique le logiciel AMPS-1D. L’étude a permis d’extraire les caractéristiques densité de courant - tension (J-V), les caractéristiques rendement quantique –longueur d’onde (QE – λ) ainsi que la densité de courant de court circuit (JCC), la tension de circuit ouvert (VCO), le facteur de remplissage (FF),et le rendement de conversion photovoltaïque (). Nous avons étudié ces caractéristiques photovoltaïques sous l’effet de variation de l’épaisseur, de la densité de défauts et du dopage. Il s’est avéré que les changements apportés aux propriétés de la couche frontale (n-CdS) ont généralement des effets moins significatifs sur les caractéristiques électriques de la cellule. Cela est justifié par le fait que la couche frontale (n-CdS) est toujours d’une épaisseur (xn) très fine et d’une absorption moins considérable en comparaison avec l’épaisseur (xp) et l’absorption de la couche absorbante (p-CIGS). En faisant varier l’épaisseur (xp), le meilleur rendement de conversion est obtenu pour des valeurs de (xp) autour de     2.5 µm- 2.6 µm (η =18.40%). Plus l’épaisseur (xn) est fine plus le rendement est élevé (η =19.3965% pour xn = 0.01 µm). Pour une densité de défauts Dp réduite dans la couche (p-CIGS) à (1013 cm-3), le rendement de conversion (η) atteint 21.6673 %. Concernant le dopage, la valeur (Nd = 1.11017 cm-3) du dopage de la région (n-CdS) donne un bon rendement de conversion (η = 18.5843%). Le dopage    Na = 21017 cm-3 de la région (p-CIGS) donne un rendement η = 19.1162%. Généralement, les résultats obtenus sont dans la gamme de ce qu’a été trouvé par les travaux expérimentaux et théoriques menés sur les cellules solaires à hétérojonction (CdS/CIGS).

 

Num :62

Nom & Prénom de l’étudiant

Bouheraoua khalifa

Date et lieu de soutenance

Juin 2013 , Univ. Biskra

Rapporteur

Meftah Amjad

Intitulé du titre du master

Étude des caractéristiques électriques d’une cellule solaire à hétérojonction (CdS/CdTe) par simulation numérique.

URL résumé ou version pdf

Dans ce travail nous avons étudié les caractéristiques électriques d’une cellule solaire (n-p) à hétérojonction (CdS/CdTe) sous l’éclairement AM1.5 en utilisant le logiciel de simulation numérique unidimensionnelle AMPS-1D. L’étude a permis d’extraire les caractéristiques densité de courant - tension (J-V), les caractéristiques rendement quantique –longueur d’onde (QE – λ) ainsi que la densité de courant de court circuit (JCC), la tension de circuit ouvert (VCO), le facteur de remplissage (FF),et le rendement de conversion photovoltaïque (). Nous avons étudié ces caractéristiques photovoltaïques sous l’effet de variation de l’épaisseur et de la densité de défauts dans la région absorbante (p-CdTe) et la région frontale (n-CdS). Il s’est avéré que les changements apportés aux propriétés de la couche absorbante (p-CdTe) ont généralement un effet considérable sur les caractéristiques photovoltaïques de la cellule. Une augmentation de Jcc , Vco et η est notifiée lorsque l'épaisseur xp de la couche p-CdTe augmente. Le meilleur rendement de conversion est obtenu (η =17.83%) lorsque l’épaisseur xp atteint 3 µm. Avec l’augmentation de l’épaisseur xn de la couche (n-CdS), nous remarquons une générale diminution des paramètres photovoltaïques. Le Jcc diminue de 27.06 mA/cm2 à 24.89 mA/cm2. Le rendement de conversion η diminue de 18.05 % à 16.53 %. Le meilleur rendement de conversion        η = 18.05 % est obtenu pour xn =0.015 µm. Pour une densité de défauts Dp réduite dans la couche     (p-CdTe) à (2×1013 cm-3), le rendement de conversion (η) atteint une bonne valeur de 20.35%  puis il diminue considérablement avec l’augmentation de Dp alors que Jcc diminue légèrement. L’augmentation de la densité de défauts Dn de la couche frontale (n-CdS) influe légèrement sur la diminution de Jcc , alors que FF et le rendement de conversion h connaissent une notable réduction lorsque Dn atteint 1019 cm-3 (FF=63.9493% et h=15.2425%) . Généralement, les résultats obtenus sont dans la gamme de ce qu’a été trouvé par les travaux expérimentaux et théoriques menés sur les cellules solaires à hétérojonction (CdS/CdTe).

 

Num :63

Nom & Prénom de l’étudiant

Djemai Mounira

Date et lieu de soutenance

Juin 2014 , Univ. Biskra

Rapporteur

Meftah Amjad

Intitulé du titre du master

Effet de la température sur les caractéristiques électriques d’une cellule solaire à base de Cu(In,Ga)Se2 (CIGS)

URL résumé ou version pdf

Nous avons étudié l'effet de variation de la température ambiante dans la gamme 240 °K - 400 °K sur les caractéristiques électriques de la cellule solaire à base de Cu(In,Ga)Se2 (CIGS) de structure (n-ZnO/n-CdS/p-CIGS) pour les deux cas où le gap d'énergie, , de l'absorbeur CIGS prend respectivement les valeurs .  Les résultats sont générés par le logiciel AMPS-1D en considérant les conditions de l'obscurité et de l'éclairement AM1.5. La dépendance de la densité du courant de saturation  avec la température montre un comportement activé thermiquement avec une énergie d'activation  bien proche de la valeur du gap d'énergie  ; ce qui confirme la proportionnalité de  avec . Le facteur d'idéalité A présente des variations fluctuantes dans une gamme de grandeurs proche de la valeur unité (1) avec une tendance générale de diminution avec l'augmentation de la température. La variation fluctuante de la résistance série  montre une tendance générale d'augmentation avec l'accroissement de la température. Un comportement décroissant est notifié pour la résistance shunt  avec l'augmentation de la température. Le comportement thermique de , A ,   et  s'accorde avec les résultats observés généralement dans la littérature. Une faible sensibilité à la température est notifiée pour la densité du courant de court circuit,  pour les deux cas de  . Le spectre du rendement quantique externe  présente, comme le photo-courant, une sensibilité négligeable à la température. Cependant la tension du circuit ouvert ,  , montre une réduction notable avec l'augmentation de la température pour les deux cas de . La réduction du  avec l'augmentation de la température entraine la réduction de la puissance maximale  fournie par la cellule solaire, et par la suite la réduction du rendement de la conversion photovoltaïque . Le comportement thermique du ,  , FF et  s'accorde bien avec les résultats d'après la littérature.

 

 

Num :64

Nom & Prénom de l’étudiant

Mazouzi Hadda

Date et lieu de soutenance

Juin 2015

Rapporteur

Meftah Amjad

Intitulé du titre du master

Effet de la couche fenêtre ZnO et de la couche tampon CdS sur les caractéristiques électriques d'une cellule solaire à base de CIGS

 

URL résumé ou version pdf

Dans ce travail, nous avons étudié par simulation numérique une cellule solaire à base de CIGS sous l’effet de variation de l’épaisseur et du dopage de la couche fenêtre n-ZnO, et de la couche tampon n-CdS . La cellule est une hétérojonction n-ZnO/n-CdS/p-CIGS soumise à l’éclairage standard AM 1.5. Nous avons utilisé le logiciel AMPS-1D pour générer les caractéristiques électriques de la cellule telles que les caractéristiques densité de courant-tension (J-V) et rendement quantique –longueur d’onde (QE -λ), la densité de courant de court circuit (JCC), la tension de circuit ouvert (VCO), le facteur de remplissage (FF),et le rendement de conversion photovoltaïque (). L’augmentation de l’épaisseur xZnO de la couche ZnO montre une faible influence sur les caractéristiques (J-V) et (QE-λ) de la cellule. En diminuant l’épaisseur xZnO de 300 nm à 10nm, le rendement de conversion η peut être amélioré de 18.3732% à 18.7304%.

L’augmentation de xCdS de 0.01 µm à 0.05 µm entraine une remarquable réduction du JCC de 37.9434 mA/cm2 à 36.1655 mA/cm2, le rendement de conversion η diminue de 19.3929% à 18.4223%, alors que le FF présente une légère augmentation de 80.1905% à 80.2059%. Le meilleur rendement de conversion η est 19.3929% pour xCdS = 0.01 µm. Une légère amélioration est remarquée avec l’augmentation du dopage Nd de la couche n-ZnO pour le JCC , le FF et le rendement de conversion , alors que le VCO reste constant. L’augmentation du dopage Nd de la couche n-CdS entraine une légère réduction du courant de court circuit Jcc, l’influence sur le Vco est moins notable. Une amélioration est aussi notifiée pour le FF de 71.0107% pour un dopage Nd = 1013 cm-3 à 80.2969 % pour Nd = 1019 cm-3 . De même, le rendement de conversion η reconnait une amélioration de 17.1953% pour               Nd = 1013 cm-3 à 18.4878% pour Nd = 1019 cm-3.

 

 

Num :65

Nom & Prénom de l’étudiant

Berretima Sara

Date et lieu de soutenance

Juin 2015

Rapporteur

Meftah Amjad

Intitulé du titre du master

Effet de la couche de l’absorbeur  Cu (In, Ga) Se2 (CIGS) sur les caractéristiques électriques d’une cellule solaire à base de CIGS

URL résumé ou version pdf

Dans ce travail, nous avons étudié les caractéristiques électriques d’une cellule solaire à base de CIGS sous l’effet de variation des paramètres de la couche absorbeur (CIGS), à savoir : son gap d’énergie Eg, son épaisseur xp et son dopage Na. La cellule est une hétérojonction de structure (n-ZnO/n-CdS/p-CIGS) éclairée à travers la région n-ZnO par le spectre solaire standard AM 1.5. Nous avons utilisé le logiciel AMPS-1D pour générer les caractéristiques électriques de la cellule telles que les caractéristiques densité de courant-tension (J-V)                 et rendement quantique –longueur d’onde (QE -λ), la densité de courant de court circuit (JCC), la tension de circuit ouvert (VCO), le facteur de remplissage (FF),et le rendement de conversion photovoltaïque ().

L’augmentation de la fraction molaire x du Ga dans la couche CIGS, qui signifie la variation du gap d'énergie  de 1.02 eV à 1.69 eV, révèle une notable augmentation du rendement de conversion h de 13.4193% (Eg=1.02 eV) à 35.9891% (Eg=1.69 eV). Le FF et le Jcc présentent moins de variations.

L’augmentation de l'épaisseur de la couche CIGS (xp) dans la gamme (0.5µm à 3μm) montre un meilleur rendement obtenu  =18.4321%  pour une épaisseur autour de 2.5 μm.

Le dopage de la couche (p-CIGS) (Na) variant de  à  montre que la meilleure valeur du Jcc est 39.5394 mA/cm2 pour  . Le  , le FF et le rendement de conversion η généralement augmentent avec l’augmentation de . Le meilleur rendement de conversion η est 19.3162% pour Na = 51017cm-3, il est proche des mesures expérimentales réalisées dans des conditions semblables.

 

b) Thèse de Doctorat

Num :1

Nom & Prénom du doctorant

Raouache Elhadj

Date et lieu de soutenance

Juin 2012 Unversité de Biskra

Rapporteur

Boumerzoug Zakaria

Intitulé du titre du doctorat

Cinétique et mécanisme des transformations de phases dans un acier soudé

URL résumé ou version pdf

The aim of this study is to investigate the effect of arc welding on microstructures and mechanical properties of low carbon steel. Different techniques of characterization have been used (XRD, OM, SEM, Hardness).  Microstructure of each zone of welded zone has been determined. On the other hand; isothermal heat treatments have been applied in order to homogenize the weld metal with the base metal.

 

 

 

Num :.2

Nom & Prénom du doctorant

Beribeche Abdelatif

Date et lieu de soutenance

2014 Université de Biskra

Rapporteur

Boumerzoug Zakaria

Intitulé du titre du doctorat

Etude du comportement au fluage des fils de cuivre,

 

URL résumé ou version pdf

http://thesis.univ-biskra.dz/29/

Num :3

Nom & Prénom du doctorant

Diha Abdallah

Date et lieu de soutenance

2014, Unversité de Biskra

Rapporteur

Boumerzoug Zakaria

Intitulé du titre du doctorat

Etude au comportement au fluage des fils d’aluminium

 

URL résumé ou version pdf

http://thesis.univ-biskra.dz/194/

 

Num :4

Nom & Prénom du doctorant

Hamdi Ines

Date et lieu de soutenance

2014 Université de Biskra

Rapporteur

Boumerzoug Zakaria

Intitulé du titre du doctorat

Etude des transformations de phases dans Al-Mg-Si

URL résumé ou version pdf

http://thesis.univ-biskra.dz/155/

 

Num :.5

Nom & Prénom du doctorant

Bourmel Cherifa

Date et lieu de soutenance

2015 Université de Biskra

Rapporteur

Boumerzoug Zakaria

Intitulé du titre du doctorat

Etude du joint soudé d’un alliage d’aluminium

URL résumé ou version pdf

http://thesis.univ-biskra.dz/1334/

 

 

Num :6

Nom & Prénom du doctorant

Benadji  Nedjma

Date et lieu de soutenance

2015 Université de Biskra

Rapporteur

Boumerzoug Zakaria

Intitulé du titre du doctorat

soudage de l’aluminium

URL résumé ou version pdf

The goal of this research was to study  the effect of the welding TIG on industrial aluminium 1050A. First of all, experimental study aims to characterize the welded joint before and after heat treatment and it’s effect on the microstructure evolution in different zones of welded metals.The use of the different experimental techniques such as Scanning Electronic Microscopy (SEM), Electron Back Scattered Diffraction (EBSD) and Hardness Vickers (Hv) allowed us to determine the influence of heat treatment on the recristallyzation texture and the precipitation phenomena. The effect of isothermal heat treatment on homogenization of welded joint has been observed by grain growth reaction, and it was shown that the "Cube" orientation is the dominant texture component in welded joint before or after heat treatments. XRD analysis confirmed a formation of intermetallics phases.

 

Num :7

Nom & Prénom du doctorant

Fellah Lahcene

Date et lieu de soutenance

Juin 2015 Unversité de Biskra

Rapporteur

Boumerzoug Zakaria

URL résumé ou version pdf

http://thesis.univ-biskra.dz/1434/

 

 

Intitulé du titre du doctorat

L’effet de tréfilage et de recuit sur les fils électriques de cuivre

URL résumé ou version pdf

 

Num :8

Nom & Prénom du doctorant

Gareh Salim

Date et lieu de soutenance

2015 Unversité de Biskra

Rapporteur

Boumerzoug Zakaria

Intitulé du titre du doctorat

Etude du comportement des fils de cuivre lors des essis de fluage

URL résumé ou version pdf

http://thesis.univ-biskra.dz/1423/

 

Num :9

Nom & Prénom du doctorant

TERGHINI Ouarda

Date et lieu de soutenance

16/06/2015

Rapporteur

DEHIMI Lakhdar

Intitulé du titre du doctorat

Simulation numérique des effets de radiation dans les détecteurs de particules à base de silicium de type p

URL résumé ou version pdf

 

Num :10

Nom & Prénom du doctorant

MEGHERBI Mohamed Larbi

Date et lieu de soutenance

11/11/2015   U. Biskra

Rapporteur

DEHIMI Lakhdar

Intitulé du titre du doctorat

Simulation numérique des caractéristiques électriques des détecteurs de particules à semi-conducteur à large bande interdite (WBG)

URL résumé ou version pdf

http://thesis.univ-biskra.dz/1590/

 

Num :11

Nom & Prénom du doctorant

Boumaraf, Rami , Université Mohamed Khider - Biskra.

Date et lieu de soutenance

Juillet 2015

Rapporteur

Nouredine Sengouga

Intitulé du titre du doctorat

Simulation de l’effet de la température et les défauts sur les caractéristiques électriques des diodes à base de GaAs

URL résumé ou version pdf

http://thesis.univ-biskra.dz/1552/

 

Num :12

Nom & Prénom du doctorant

Abdeslam, Nora Amele

Date et lieu de soutenance

Mai 2013

Rapporteur

Nouredine Sengouga

Intitulé du titre du doctorat

Simulation bidimensionnelle de l'effet des pièges profonds dans le substrat sur les caractéristiques des transistors a effet de champ en Arséniure de Gallium (GaAs FETs).

URL résumé ou version pdf

http://thesis.univ-biskra.dz/7/

 

Num :13

Nom & Prénom du doctorant

Laiadi Widad

Date et lieu de soutenance

2014, Université de Biskra

Rapporteur

Meftah Afak

Intitulé du titre du doctorat

Simulation numérique d’effet de la couche fenêtre AlxGa1-xAs sur la résistance aux irradiations spatiales d’une cellule solaire en arsenic de gallium (GaAs).

URL résumé ou version pdf

Un programme de simulation numérique a été développé qui permet d’estimer qualitativement et quantitativement la dégradation subit par une cellule solaire p+nn+ en GaAs et améliorer la résistance de la cellule à l’effet indésirable de ces particules cosmiques. Nous utilisons la simulation numérique pour faire la comparaison entre l’effet du 1MeV des irradiations des électrons, protons et neutrons sur les paramètres externes de la cellule solaire p+nn+ qui est un type de GaAs en addiction avec une fenêtre AlxGa1-xAs . Les paramètres externes de la cellule solaire sont : le courant de court circuit (Jsc), la tension du circuit ouvert (Voc), le facteur de remplissage (FF) et le rendement. Nous avons aussi étudie le lien et l’accord entre la caractéristique de densité du courant (J-V) et la réponse spectrale avec les paramètres : la fluence des irradiations, le type du piège (électron ou trou), le niveau énergétique du piège, le tout dans les trois catégories d’irradiation (électrons – protons – neutrons). Les résultats obtenues par la simulation, se trouvent en conformité avec des mesures expérimentales correspondantes. Nos résultats, montrent que dans tous les types l’augmentation de la fluence des irradiations (entraine) l’abaissement de la réponse spectrale et les paramètres externes de la cellule solaire. Aussi d’après les résultats de la comparaison faite, le courant électrique du circuit court (Jsc) est le plus sensible aux irradiations des électrons alors que les autres paramètres semblent plus sensibles aux irradiations des protons. En ce qui est des irradiations des neutrons les résultats prouvent que leur effet sur les paramètres externes est moins que celui des deux précédents. Pour améliorer le rendement de notre cellule solaire nous avons effectué un nombre de changement au les paramètres de la cellule solaire concernant le dopage et sa structure dans tous ses diverses zones (fenêtre p++AlxGa1-xAs / émetteur p+GaAs / collecteur n+GaAs / base nGaAs), d’une manière que nous avons obtenu les valeurs optimums pour les paramètres relatifs à la cellule. Le plus intéressent de ces résultats était : que l’augmentation graduelle de l’épaisseur de la fenêtre AlxGa1-xAs de la cellule solaire p+nn+ du type AlxGa1-xAs /GaAs d’une valeur de 0.09 à 0.3 améliore la résistance de la cellule solaire contre des irradiations.