PNR

Titre du projet

Caractérisation des défauts dans les semiconducteurs

Acronyme du projet

CDS

Intitulé du thème

Micro et Nanophysique

Intitulé de l’axe

Physique des matériaux et de la matière condensée

Intitulé du domaine

Physique

Mots-clés

Défauts        Semiconducteurs      Caractérisation expérimentale

Durée estimée du projet

24 mois

Chef du projet

Sengouga Nouredine

Chercheurs impliqués dans le projet

Meftah Afak, Meftah Amjad, Bekhouche Khaled; Rahmani Nacereddine, Lakhdari Issam

le partenaire socio-économique du projet

 

Les objectifs

Scientifiques :

  1. Etablir la relation entre la présence des défauts dans les semiconducteurs et la sensibilité des caractéristiques électriques des dispositifs aux paramètres telles que la température et la fréquence
  2. Identifier ces défauts

 

Techniques :

  1. Habituer les thésards aux équipements de mesures et caractérisation
  2. Développement des techniques expérimentales

 

Technologiques

  1. Aide à l’amélioration de la qualité des dispositifs fabriqués

 

Socio-économique :

  1. Etablir des techniques de caractérisation avec l’équipement existants, ces équipement peuvent être utilisés dans plusieurs bancs.

 

Titre du projet

Contribution à l’amélioration du procédé de tréfilage des fils de cuivre, d’aluminium et d’alliage d’aluminium à l’ENICAB Biskra 

Acronyme du projet

C.A.P.T.F.C.A.T.E.B.

Intitulé du thème

Matériaux non ferreux

Intitulé de l’axe

Valorisation des Matériaux Métalliques

Intitulé du domaine

IIIII

Mots-clés

Fil Cuivre Aluminium Métal Tréfilage  Fluage Grains Recristallisation

Durée estimée du projet

24/mois

Chef du projet

BOUMERZOUG Zakaria

Chercheurs impliqués dans le projet

 

BERIBECHE Abdllatif, DIGHECHE Kelthoum, Diha Abdallah, Fellah Lahcène

le partenaire socio-économique du projet

HADID Mohamed de l’entreprise ENICAB Biskra

 

Les objectifs

Les principaux objectifs du projet se résument comme suit:

1-      Objectifs scientifiques :

a-      Comprendre  l’évolution microstructurale, mécanique et électrique du fil électrique.

b-      Formation des spécialistes en tréfilage.

2-      Objectifs techniques :

a – Maîtriser le processus de tréfilage d’une manière scientifique.

b- Maîtriser la technique de recyclage des déchets métalliques.

b- Etablissement d’une banque de données des fils électriques.

3-      Objectifs technologiques :

a-      Résoudre les problèmes techniques.

b-      Augmenter le taux de production.

4-      Objectifs socio-économiques :

a-      Maintenir l’emploi  au niveau de l’entreprise.

Création d’emploi par le recrutement des métallurgistes qualifiés.

 

Titre du projet

« Mesure de l’Inefficacité de Transfert de Charge des détecteurs de particules à base de CCD irradiée » Projet PNR  code :U07/Av06 2011

 

Acronyme du projet

MCTI

Intitulé du thème

Intitulé de l’axe

Sciences Fondamentales

Intitulé du domaine

Physique

Mots-clés

Durée estimée du projet

02 ans

Chef du projet

DEHIMI LAKHDAR

Chercheurs impliqués dans le projet

Bekhouche Khaled- Aoulmit Salim-Djendaoui Dahmane

le partenaire socio-économique du projet

 

Les objectifs

Nous avons effectuées d‘une part  des mesures de l’Inefficacité de transfert de Charge (CTI) dans les Circuits a transfert de charge (CCD) dans le laboratoire de physique de l’université d’oxford et en d’autre part la  simulation, avec le simulateur TCAD SILVACO, d’une structure (bidimensionnel)  à base d’une capacité MOS, ou on a pu visualiser Le profile du potentiel en absence et en présence des piège crées lors des radiations et on a calculer le courent de fuite pour différente densités des pièges. Les résultats ainsi obtenu sont satisfaites est ont achevée par la participation a un  séminaire internationale

 

Titre du projet

Modélisation et simulation de l’effet d’irradiation sur les détecteurs à base de semi-conducteurs au silicium

Acronyme du projet

DETSEMIRR

Intitulé du thème

Détecteurs

Intitulé de l’axe

Interactions rayonnements matières

Intitulé du domaine

Physique D3

Mots-clés

Détecteurs, Particules, Irradiations, Pièges, SILVACO, Si

Durée estimée du projet

24/mois

Chef du projet

SAADOUNE Achour

Chercheurs impliqués dans le projet

 

DEHIMI Lakhdar, MEGHERBI Med Larbi, TERGHINI Ouarda

le partenaire socio-économique du projet

 

 

Les objectifs

 

Les principaux objectifs du projet se résument comme suit:

  • Activités de l'équipe4 du laboratoire LMSM de l'université de Biskra.
  • Formation des étudiants Master.
  • Activités de recherche post-doctorale.
  • Formations de docteurs
  • Publications dans des revues spécialisées.
  • Participation dans les séminaires et congrès.

 

Titre du projet

Caractérisation optique et électronique des semi-conducteurs par la technique de photo-courant constant en régime continu (DC-CPM)

Acronyme du projet

COESC-DC-CPM

Intitulé du thème

Détecteurs

Intitulé de l’axe

Interaction Rayonnements Matière

Intitulé du domaine

Physique (D3)

Mots-clés

Semi-conducteurs ; Propriétés électroniques ; Densité d’états ; défauts profonds; Propriétés optiques ; Spectre d’absorption optique; DC-CPM.

Durée estimée du projet

24 mois

Chef du projet

LEDRA Mohammed

Chercheurs impliqués dans le projet

TIBERMACINE Toufik, OUHABAB Noureddine

le partenaire socio-économique du projet

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Les objectifs

Les objectifs de ce projet PNR sont doubles :

  • La partie expérimentale consiste à la réalisation et la mise au point d’un banc de mesure pour la technique du photo-courant constant sous excitation optique continue (DC-CPM). Cette technique permet de  déterminer la densité d’états électronique des défauts dans la bande interdite du matériau étudié en mesurant son coefficient d’absorption optique. Différents échantillons, avec des configurations coplanaire ou sandwich, peuvent être caractérisés par cette techniques en particulier le silicium cristallin, microcristallin et amorphe ainsi que les semi-conducteurs de type III-V (GaAs)…etc.
  • Ø La deuxième partie consiste à l’automatisation de la technique CPM sous l’environnement ‘‘LabVIEW’’ ; en d’autres termes, la réalisation de sous programmes graphiques permettant le contrôle d’instruments via des interfaces GPIB : General Purpose Interface Bus ainsi que le traitement des données expérimentales